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中央大学、3D NANDフラッシュメモリの改良に成功
中央大学は6日、3D NANDフラッシュメモリの垂直方向の電荷移動を抑制することで、メモリーエラー40％削減とデータ保持寿命の2.8倍増加に成功したことを発表した。 同大学理工学部の竹内健教授のグループは、大容量で低コストな3D NANDフラッシュメモリにおける垂直方向の電荷の移動がメモリセルの信頼性を劣化 ... 