EdTech速報

中央大学、3D NANDフラッシュメモリの改良に成功

現在、フラッシュメモリは主にスマートフォンやタブレットなどに使われており、2次元のフラッシュメモリが微細化の限界を迎えるなか、垂直方向にメモリセルを積層する3次元化によって、さらなるメモリの大容量化が期待されている。同技術は3D NANDフラッシュメモリに固有の信頼性の問題を解決するもので、今後の大容量化 ...

上記は、記事のサマリーだけ表示されています。 元記事を読むには、こちらをクリック